Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BUT11AI,127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUT11AI,127-DG
Описание:
TRANS NPN 450V 5A TO220AB
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A 100 W Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13066429
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUT11AI,127 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Упаковка
Tube
Состояние детали
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
450 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 330mA, 2.5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1mA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
14 @ 500mA, 5V
Мощность - Макс
100 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Базовый номер продукта
BUT11
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BUT11AI,127
HTML Спецификация
BUT11AI,127-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BUT11AI
BUT11AI-ND
934050210127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MJE18004G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4500
Номер части
MJE18004G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.53
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BUL38D
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1968
Номер части
BUL38D-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.48
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HCT2222ATX
TRANS NPN 4SMD
PBSS5140V,115
TRANS PNP 40V 1A SOT666
PBSS2515E,115
TRANS NPN 15V 0.5A SC75
PBSS5160K,115
TRANS PNP 60V 0.7A SMT3