Производитель Номер продукта:
NX2301P,215
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
NX2301P,215-DG
Описание:
P-CHANNEL 20V 2A (TA) 400MW (TA)
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 400mW (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Инвентаризация:
159000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000789
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NX2301P,215 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
380 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-236AB
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
2832-NX2301P,215TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0080
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH4014LFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMP3097LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMT67M8LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
