Производитель Номер продукта:
PBSS4130QAZ
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
PBSS4130QAZ-DG
Описание:
NEXPERIA PBSS4130QA - 30 V, 1 A
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 1 A 190MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Инвентаризация:
243300 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967707
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PBSS4130QAZ Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
245mV @ 50mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
180 @ 1A, 2V
Мощность - Макс
325 mW
Частота - переход
190MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,163
Другие названия
2156-PBSS4130QAZ-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NMBT3906VL
NEXPERIA NMBT3906 - PNP SWITCHIN
2SD734E
2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI
FP210-TL-E
BIP PNP+PNP 2A 50V
