Производитель Номер продукта:
PBSS5130QA,147
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PBSS5130QA,147-DG
Описание:
PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP LOW V
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 1 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Инвентаризация:
12940550
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PBSS5130QA,147 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
240mV @ 100mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 2V
Мощность - Макс
325 mW
Частота - переход
170MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
6,000
Другие названия
2156-PBSS5130QA147
NEXNXPPBSS5130QA147
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N5550/D26Z
TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
NJVMJD44H11G
TRANS NPN 80V 8A DPAK
2SC2362KG-AA
0.05A, 120V, NPN, TO-92
