Производитель Номер продукта:
PBSS5160PAPS115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PBSS5160PAPS115-DG
Описание:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 60V 1A 125MHz 370mW Surface Mount DFN2020D-6
Инвентаризация:
12933317
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PBSS5160PAPS115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
550mV @ 50mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
170 @ 100mA, 2V
Мощность - Макс
370mW
Частота - переход
125MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN2020D-6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,112
Другие названия
NEXNXPPBSS5160PAPS115
2156-PBSS5160PAPS115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FC18G-TL
NCH J-FET+BIP NPN
MPQ7051
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
TPQ2907
TPQ QUAD TRANSISTOR ARRAYS
