Производитель Номер продукта:
PBSS5230QAZ
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
PBSS5230QAZ-DG
Описание:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Инвентаризация:
554308 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996639
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PBSS5230QAZ Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
210mV @ 50mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Мощность - Макс
325 mW
Частота - переход
170MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,691
Другие названия
2156-PBSS5230QAZ-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
