Производитель Номер продукта:
PDTB113EU,115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PDTB113EU,115-DG
Описание:
TRANS PREBIAS
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Surface Mount SC-70
Инвентаризация:
12947392
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PDTB113EU,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
1 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
140 MHz
Мощность - Макс
300 mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Комплект устройства поставщика
SC-70
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,036
Другие названия
NEXNXPPDTB113EU115
2156-PDTB113EU,115
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PDTC123TMB,315
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
PDTA144VMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
PDTA123JMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
