PDTC115EMB,315
Производитель Номер продукта:

PDTC115EMB,315

Product Overview

Производитель:

NXP Semiconductors

Номер детали:

PDTC115EMB,315-DG

Описание:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A 3DFN
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 20 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Инвентаризация:

189658 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947437
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PDTC115EMB,315 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
20 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
100 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
100 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
230 MHz
Мощность - Макс
250 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-101, SOT-883
Комплект устройства поставщика
DFN1006B-3
Базовый номер продукта
PDTC115

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
11,225
Другие названия
NEXNEXPDTC115EMB,315
2156-PDTC115EMB,315-NEX

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PDTA114YMB,315

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nxp-semiconductors

PDTA115TMB,315

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nxp-semiconductors

PDTA114ET,235

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23

nxp-semiconductors

PDTB114EQA147

TRANS PREBIAS