PDTD114EQA147
Производитель Номер продукта:

PDTD114EQA147

Product Overview

Производитель:

NXP USA Inc.

Номер детали:

PDTD114EQA147-DG

Описание:

TRANS PREBIAS
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3

Инвентаризация:

12968602
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PDTD114EQA147 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
PDTD114EQA
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
210 MHz
Мощность - Макс
940 mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
8,219
Другие названия
2156-PDTD114EQA147
NEXNXPPDTD114EQA147

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PDTC143EQBZ

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN

nexperia

PDTC124XQBZ

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nexperia

PDTA124EQBZ

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nexperia

PDTA144EQBZ

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN