PMEM4030NS,115
Производитель Номер продукта:

PMEM4030NS,115

Product Overview

Производитель:

NXP USA Inc.

Номер детали:

PMEM4030NS,115-DG

Описание:

TRANS NPN 50V 2A 8SO
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 50 V 2 A 100MHz 1 W Surface Mount 8-SO

Инвентаризация:

12812587
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PMEM4030NS,115 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN + Diode (Isolated)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
370mV @ 300mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SO
Базовый номер продукта
PMEM4

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
934057775115
PMEM4030NS T/R-DG
PMEM4030NS T/R

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PN2907A,126

TRANS PNP 60V 0.6A TO92-3

nxp-semiconductors

PMBT5401,235

TRANS PNP 150V 0.3A SOT23

nxp-semiconductors

PMBT3904/8,215

TRANS PNP SWITCHING TO-236AB

nxp-semiconductors

PMBT2907A/MIGR

TRANS PNP SWITCHING TO-236AB