Производитель Номер продукта:
PMG85XP,115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PMG85XP,115-DG
Описание:
NOW NEXPERIA PMG85XP - SMALL SIG
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2A (Tj) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) Surface Mount 6-TSSOP
Инвентаризация:
1667747 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948212
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMG85XP,115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
115mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.15V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
560 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375mW (Ta), 2.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSSOP
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
PMG85
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,495
Другие названия
2156-PMG85XP,115
NEXNXPPMG85XP,115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
STD15N60DM6
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
NTMFS5C612NT1G-TE
MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
