Производитель Номер продукта:
PMPB33XN,115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PMPB33XN,115-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 4.3A (Ta) 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Инвентаризация:
141074 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947636
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMPB33XN,115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
47mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
505 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 8.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1010B-6
Упаковка / Чехол
6-XFDFN Exposed Pad
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,378
Другие названия
NEXNXPPMPB33XN,115
2156-PMPB33XN,115
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTTFS4930NTAG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDI038AN06A0
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
CMS100N04H8-HF
MOSFET N-CH 40V 100A DFN5X6
