Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMV100XPEA215
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
PMV100XPEA215-DG
Описание:
NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 463mW (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount SOT-23
Инвентаризация:
48000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973489
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMV100XPEA215 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
386 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
463mW (Ta), 4.45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMV100XPEA215
HTML Спецификация
PMV100XPEA215-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
6,693
Другие названия
2156-PMV100XPEA215-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTC080N120SC1
SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
NDP708AE
60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO
PJD9P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD8NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET