Производитель Номер продукта:
PSMN2R0-60ES,127
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
PSMN2R0-60ES,127-DG
Описание:
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
7334 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12972984
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PSMN2R0-60ES,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9997 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
338W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
PSMN2R0
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
214
Другие названия
2156-PSMN2R0-60ES,127-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6407_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PSMN1R5-50YLHX
PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
