Производитель Номер продукта:
PSMN3R3-80ES,127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PSMN3R3-80ES,127-DG
Описание:
ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
1415 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12942544
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PSMN3R3-80ES,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9961 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
338W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
205
Другие названия
2156-PSMN3R3-80ES127
NEXNXPPSMN3R3-80ES,127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CPH3407-TL-E
MOSFET N-CH
AUIRFSL8408
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRFR5410-IR
AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
