Производитель Номер продукта:
PSMN6R0-25YLD115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PSMN6R0-25YLD115-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 61A (Ta) 43W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Инвентаризация:
12935504
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PSMN6R0-25YLD115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
61A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
705 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)
43W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK56, Power-SO8
Упаковка / Чехол
SC-100, SOT-669
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,429
Другие названия
2156-PSMN6R0-25YLD115
NEXNXPPSMN6R0-25YLD115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSR302KL6327
SMALL SIGNAL MOSFET
2SK551
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFP6P10
P-CHANNEL POWER MOSFET
