Производитель Номер продукта:
PUMB9/ZL115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PUMB9/ZL115-DG
Описание:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Инвентаризация:
12934936
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PUMB9/ZL115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
180MHz
Мощность - Макс
300mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
6-TSSOP
Базовый номер продукта
PUMB9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
6,000
Другие названия
NEXNXPPUMB9/ZL115
2156-PUMB9/ZL115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UP04311G0L
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
PUMH11/ZL135
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
PUMH10/ZL115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
