Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PUMB9/ZL115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PUMB9/ZL115-DG
Описание:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12934936
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PUMB9/ZL115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
180MHz
Мощность - Макс
300mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
6-TSSOP
Базовый номер продукта
PUMB9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PUMB9/ZL115
HTML Спецификация
PUMB9/ZL115-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
6,000
Другие названия
NEXNXPPUMB9/ZL115
2156-PUMB9/ZL115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UP04311G0L
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
PUMH11/ZL135
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
PUMH10/ZL115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MUN5113DW1T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363