Производитель Номер продукта:
2N5401BU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2N5401BU-DG
Описание:
BJT TO92 150V PNP 0.625W 150C
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
12834166
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N5401BU Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
600 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
150 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
50nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Мощность - Макс
625 mW
Частота - переход
400MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Базовый номер продукта
2N5401
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2N5401
2N5401-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
2N5401YBU
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
60032
Номер части
2N5401YBU-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
