Производитель Номер продукта:
2N6517G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2N6517G-DG
Описание:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Инвентаризация:
12833199
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N6517G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
350 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
50nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Мощность - Макс
625 mW
Частота - переход
200MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Комплект устройства поставщика
TO-92 (TO-226)
Базовый номер продукта
2N6517
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
2N6517GOS
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC817-40LT1
TRANS NPN 45V 500MA SOT23
BC635_J35Z
TRANS NPN 45V 1A TO92-3
BC556CBU
TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3