2N7002ET1G
Производитель Номер продукта:

2N7002ET1G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

2N7002ET1G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Инвентаризация:

528264 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12834485
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2N7002ET1G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
26.7 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300mW (Tj)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
2N7002

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2N7002ET1G-DG
2N7002ET1GOSDKR
2N7002ET1GOSCT
2832-2N7002ET1G
2156-2N7002ET1G
2N7002ET1GOSTR
ONSONS2N7002ET1G

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

ATP202-TL-H

MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK

onsemi

BFL4007-1E

MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220F-3FS

onsemi

5HP01M-TL-E

MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP

infineon-technologies

BSP320SH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4