Производитель Номер продукта:
2SC3361-6-TB-E-ON
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SC3361-6-TB-E-ON-DG
Описание:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 150 mW Surface Mount 3-CP
Инвентаризация:
30000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12941208
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC3361-6-TB-E-ON Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
150 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
400mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Мощность - Макс
150 mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
125°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
3-CP
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,567
Другие названия
ONSONS2SC3361-6-TB-E
2156-2SC3361-6-TB-E-ON
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC846AMTF
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
NJVTIP50G
BIP TO-220 NPN 1A 400V
2SD1347T-AE
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
