Производитель Номер продукта:
2SC3956E
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SC3956E-DG
Описание:
NPN SILICON TRANSISTOR
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 200 mA 300MHz 1.3 W Through Hole TO-126ML
Инвентаризация:
8000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12931598
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC3956E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
200 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
200 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 3mA, 30mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Мощность - Макс
1.3 W
Частота - переход
300MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126ML
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,158
Другие названия
ONSONS2SC3956E
2156-2SC3956E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SA1338-5-TB-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC817K-25WH6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
2SC5476
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN