2SC4134T-E
Производитель Номер продукта:

2SC4134T-E

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

2SC4134T-E-DG

Описание:

TRANS NPN 100V 1A TP
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Through Hole TP

Инвентаризация:

12835995
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
PVIF
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2SC4134T-E Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
400mV @ 40mA, 400mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 5V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
120MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Комплект устройства поставщика
TP
Базовый номер продукта
2SC4134

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

BC846ALT1G

TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

onsemi

BD243ATU

TRANS NPN 60V 6A TO220-3

onsemi

BC847CWT3G

TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3

onsemi

BDV65BG

TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3