Производитель Номер продукта:
2SC4134T-E
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SC4134T-E-DG
Описание:
TRANS NPN 100V 1A TP
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Through Hole TP
Инвентаризация:
12835995
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
hb6s
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC4134T-E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
400mV @ 40mA, 400mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 5V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
120MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Комплект устройства поставщика
TP
Базовый номер продукта
2SC4134
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC846ALT1G
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
BD243ATU
TRANS NPN 60V 6A TO220-3
BC847CWT3G
TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
