Производитель Номер продукта:
2SC5706-P-E
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SC5706-P-E-DG
Описание:
TRANS NPN 100V 5A TP
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP
Инвентаризация:
12835898
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC5706-P-E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
240mV @ 100mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
400MHz
Рабочая температура
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Комплект устройства поставщика
TP
Базовый номер продукта
2SC5706
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
ONSONS2SC5706-P-E
2156-2SC5706-P-E-ON
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SD1685F
TRANS NPN 20V 5A TO126ML
50A02SS-TL-E
TRANS PNP 50V 0.4A 3SSFP
BC237A
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
