Производитель Номер продукта:
2SJ652-1E
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SJ652-1E-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Подробное описание:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Инвентаризация:
12920749
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SJ652-1E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
38mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4360 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3SG
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
2SJ652
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
