2SJ665-DL-E
Производитель Номер продукта:

2SJ665-DL-E

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

2SJ665-DL-E-DG

Описание:

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Подробное описание:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount SMP-FD

Инвентаризация:

12833802
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2SJ665-DL-E Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
77mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SMP-FD
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
2SJ665

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
FQB34P10TM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FQB34P10TM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.23
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

NX3008PBKVL

MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB

onsemi

2SK3746

MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PB

infineon-technologies

AUIRFR6215TRL

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

nexperia

PMN30UNX

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP