BS108G

Производитель Номер продукта:

BS108G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

BS108G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Подробное описание:

N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12835498

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

BS108G Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

onsemi

Упаковка

-

Серия

-

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

200 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

250mA (Ta)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

2V, 2.8V

Rds On (макс.) @ id, vgs

8Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(th) (Макс) @ Id

1.5V @ 1mA

Vgs (макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

150 pF @ 25 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

350mW (Ta)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Through Hole

Комплект устройства поставщика

TO-92 (TO-226)

Упаковка / Чехол

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Базовый номер продукта

BS108

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет

1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.21.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

onsemi

CPH3456-TL-H

MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

onsemi

3LP01S-K-TL-E

MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

onsemi

ATP101-TL-H

MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK

onsemi

2SK3821-E

MOSFET N-CH 100V 40A SMP