Производитель Номер продукта:
BSS123LT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
BSS123LT1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
217861 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12836751
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
PSDe
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS123LT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
225mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS123
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS123LT1GOSCT
BSS123LT1GOSTR
BSS123LT1GOSDKR
2156-BSS123LT1G-OS
ONSONSBSS123LT1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF6N80T
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FCB20N60-F085
MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
3LP01SS-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP