Производитель Номер продукта:
DTD113E
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
DTD113E-DG
Описание:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Инвентаризация:
25000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12934311
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DTD113E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
1 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Мощность - Макс
350 mW
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Комплект устройства поставщика
TO-92 (TO-226)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
11,539
Другие названия
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
