Производитель Номер продукта:
EFC6601R-TR
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
EFC6601R-TR-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Подробное описание:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Инвентаризация:
12838846
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EFC6601R-TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Напряжение стока к источнику (Vdss)
-
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-XFBGA, FCBGA
Комплект устройства поставщика
EFCP2718-6CE-020
Базовый номер продукта
EFC6601
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
EFC6601R-TROSCT
2156-EFC6601R-TR-OS
ONSONSEFC6601R-TR
EFC6601R-TR-DG
EFC6601R-TROSDKR
EFC6601R-TROSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDW2507N
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
ECH8660-S-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
FDS6984AS
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
