Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FCD360N65S3R0
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCD360N65S3R0-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12839097
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCD360N65S3R0 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
730 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FCD360
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FCD360N65S3R0
HTML Спецификация
FCD360N65S3R0-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FCD360N65S3R0OSTR
2832-FCD360N65S3R0TR
FCD360N65S3R0-DG
2156-FCD360N65S3R0-OS
ONSONSFCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0OSCT
FCD360N65S3R0OSDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK12P60W,RVQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1950
Номер части
TK12P60W,RVQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.84
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK380P65Y,RQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2188
Номер части
TK380P65Y,RQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
Direct
Номер детали
STD16N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
STD16N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.79
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQU2N90TU
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
FDD4243-F085
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
FQP32N20C
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
FDMC7672_F125
MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP