Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FCH190N65F-F155
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCH190N65F-F155-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
415 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848196
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCH190N65F-F155 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
FRFET®, SuperFET® II
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3225 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
FCH190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FCH190N65F-F155
HTML Спецификация
FCH190N65F-F155-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
450
Другие названия
FCH190N65F_F155-DG
FCH190N65F_F155
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPW60R180C7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
218
Номер части
IPW60R180C7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.58
Тип замещения
Similar
Номер детали
STW28N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STW28N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.79
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTH24N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
268
Номер части
IXTH24N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.98
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPW60R165CPFKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
200
Номер части
IPW60R165CPFKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.54
Тип замещения
Direct
Номер детали
TK20N60W,S1VF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15
Номер части
TK20N60W,S1VF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.83
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD4804NAT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
FDMT800120DC
MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
FQD10N20TM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
FQI11N40TU
MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK