Производитель Номер продукта:
FCMT099N65S3
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCMT099N65S3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Подробное описание:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount Power88
Инвентаризация:
12849071
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCMT099N65S3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2270 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Power88
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
FCMT099
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-FCMT099N65S3CT
488-FCMT099N65S3TR
FCMT099N65S3-DG
488-FCMT099N65S3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPL60R104C7AUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8950
Номер части
IPL60R104C7AUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.79
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO3409L
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
FQP65N06
MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
HUFA75645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
