Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FCP165N60E
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCP165N60E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
1200 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13209968
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP165N60E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2434 pF @ 380 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FCP165
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FCP165N60E
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
488-FCP165N60E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP24N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
189
Номер части
STP24N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.21
Тип замещения
Similar
Номер детали
AOT25S65L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
AOT25S65L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.99
Тип замещения
Similar
Номер детали
STP28N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1020
Номер части
STP28N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.40
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK17E65W,S1X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12
Номер части
TK17E65W,S1X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.35
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCH165N60E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
473
Номер части
FCH165N60E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.86
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVB5404NT4G
MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
NVTFS5826NLTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
NVMFS5830NLT1G
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
NTMFS4934NT3G
MOSFET N-CH 30V 147A SO8FL