Производитель Номер продукта:
FCP20N60_G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCP20N60_G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12840054
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP20N60_G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
SuperFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3080 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FCP20
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCP190N60E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
695
Номер части
FCP190N60E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.62
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS86202ET120
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
FQA36P15
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
PCFG40N120ANF
MOSFET N-CH
