Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FCPF650N80Z
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCPF650N80Z-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Инвентаризация:
986 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12851558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCPF650N80Z Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1565 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
FCPF650
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FCPF650N80Z
HTML Спецификация
FCPF650N80Z-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
ONSONSFCPF650N80Z
2156-FCPF650N80Z-OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK8A65D(STA4,Q,M)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
53
Номер части
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.92
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF12NK80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STF12NK80Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.70
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPA60R650CEXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
383
Номер части
IPA60R650CEXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.42
Тип замещения
Similar
Номер детали
R6008ANX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
R6008ANX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.64
Тип замещения
Similar
Номер детали
R6007KNX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
R6007KNX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.02
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFU220BTU-AM002
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
FDS7064N
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
IRF530N_R4942
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
FDP6035AL
MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3