Производитель Номер продукта:
FDA28N50
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDA28N50-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Подробное описание:
N-Channel 500 V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Инвентаризация:
53 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839789
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDA28N50 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
155mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5140 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
310W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PN
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
FDA28
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FQU13N06TU
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
FDB3682
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
