Производитель Номер продукта:
FDB33N25TM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB33N25TM-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12850027
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB33N25TM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2135 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
235W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB33N25
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
2156-FDB33N25TM-OS
FDB33N25TMDKR
FAIFSCFDB33N25TM
FDB33N25TMCT
FDB33N25TMTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB17N25S3100ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1583
Номер части
IPB17N25S3100ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.89
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
