Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FDB3652
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB3652-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12850153
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB3652 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB365
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FDB3652
HTML Спецификация
FDB3652-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB3652DKR
FDB3652TR
FDB3652-DG
FAIFSCFDB3652
2156-FDB3652
FDB3652CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB80NF10T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
775
Номер части
STB80NF10T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.46
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPB70N10S3L12ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15020
Номер части
IPB70N10S3L12ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
Similar
Номер детали
PSMN015-100B,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2021
Номер части
PSMN015-100B,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPB144N12N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2576
Номер части
IPB144N12N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.79
Тип замещения
Similar
Номер детали
PSMN016-100BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3321
Номер части
PSMN016-100BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
AOTF16N50
MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F
FQA11N90-F109
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN