FDB3652
Производитель Номер продукта:

FDB3652

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDB3652-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12850153
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDB3652 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB365

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB3652DKR
FDB3652TR
FDB3652-DG
FAIFSCFDB3652
2156-FDB3652
FDB3652CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STB80NF10T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
775
Номер части
STB80NF10T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.46
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPB70N10S3L12ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15020
Номер части
IPB70N10S3L12ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
Similar
Номер детали
PSMN015-100B,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2021
Номер части
PSMN015-100B,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPB144N12N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2576
Номер части
IPB144N12N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.79
Тип замещения
Similar
Номер детали
PSMN016-100BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3321
Номер части
PSMN016-100BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDS2734

MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC

onsemi

EMH1405-P-TL-H

MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF16N50

MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F

onsemi

FQA11N90-F109

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN