Производитель Номер продукта:
FDB86135
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB86135-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 2.4W (Ta), 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850037
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB86135 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7295 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB861
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB86135TR
FDB86135-DG
FDB86135DKR
FDB86135CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO4454
MOSFET N-CH 100V 6.5A 8SOIC
FDD6672A
MOSFET N-CH 30V 65A TO252
FQA10N60C
MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
