Производитель Номер продукта:
FDB86563-F085
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB86563-F085-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1590 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847194
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB86563-F085 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10100 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB86563
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB86563-F085CT
FDB86563-F085DKR
FDB86563-F085TR
FDB86563_F085DKR-DG
FDB86563_F085DKR
FDB86563_F085CT
FDB86563_F085
FDB86563_F085TR-DG
FDB86563_F085TR
FDB86563_F085CT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDBL86561-F085
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
FDMC8854
MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
FQPF13N50T
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
