Производитель Номер продукта:
FDC2612
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDC2612-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Подробное описание:
N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Инвентаризация:
12838173
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDC2612 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
725mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
234 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SuperSOT™-6
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
FDC2612
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDC2612-DG
FDC2612CT
FDC2612TR
FDC2612DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
62-0136PBF
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
FQI13N06LTU
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
FDP039N08B-F102
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
