Производитель Номер продукта:
FDC6302P
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDC6302P-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Подробное описание:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Инвентаризация:
12836886
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
sBqz
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDC6302P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11pF @ 10V
Мощность - Макс
700mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект устройства поставщика
SuperSOT™-6
Базовый номер продукта
FDC6302
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTJD4152PT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15411
Номер части
NTJD4152PT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
