Производитель Номер продукта:
FDC638P
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDC638P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Инвентаризация:
4802 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12837854
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDC638P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1160 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SuperSOT™-6
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
FDC638
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDC638PDKR
FDC638PCT
FDC638PTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS4070N7
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
FQPF27P06
MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
FQB4N90TM
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
