Производитель Номер продукта:
FDC8886
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDC8886-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Инвентаризация:
11945 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12836294
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDC8886 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Ta), 8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
465 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SuperSOT™-6
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
FDC8886
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDC8886CT
FDC8886DKR
FDC8886TR
FDC8886-DG
2156-FDC8886-OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
ATP108-TL-H
MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
IRFU220_R4941
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
