Производитель Номер продукта:
FDD3860
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD3860-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
4493 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839154
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD3860 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1740 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD386
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD3860TR
2156-FDD3860-OS
FDD3860CT
FDD3860DKR
ONSONSFDD3860
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
FDZ493P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
HUFA76432S3S
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK