Производитель Номер продукта:
FDD5680
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD5680-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Подробное описание:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
2511 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849552
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD5680 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1835 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD568
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD5680CT
FDD5680DKR
FDD5680-DG
FDD5680TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AON7532E
MOSFET N-CH 30V 30.5A/28A 8DFN
FCA20N60-F109
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
AOD456A
MOSFET N-CH 25V 50A TO252
