FDD6512A
Производитель Номер продукта:

FDD6512A

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDD6512A-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

12848114
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDD6512A Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.7A (Ta), 36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1082 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD651

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN