FDD6512A

Производитель Номер продукта:

FDD6512A

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDD6512A-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

Подробное описание:

N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12848114

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

FDD6512A Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

onsemi

Упаковка

-

Серия

PowerTrench®

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

20 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

10.7A (Ta), 36A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

2.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ id, vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V

Vgs(th) (Макс) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

19 nC @ 4.5 V

Vgs (макс.)

±12V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1082 pF @ 10 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.8W (Ta), 43W (Tc)

Рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип крепления

Surface Mount

Комплект устройства поставщика

TO-252AA

Упаковка / Чехол

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Базовый номер продукта

FDD651

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет

2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN