Производитель Номер продукта:
FDD6670AS
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD6670AS-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 76A TO252
Подробное описание:
N-Channel 30 V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12850417
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
mCXE
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD6670AS Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
76A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1580 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD667
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD6670ASCT
FDD6670ASDKR
FDD6670ASTR
FDD6670AS-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQB2N90TM
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
FDP24N40
MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
FQA34N20
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
