FDD6670AS
Производитель Номер продукта:

FDD6670AS

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDD6670AS-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 76A TO252
Подробное описание:
N-Channel 30 V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

12850417
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
EZyu
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDD6670AS Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
76A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1580 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD667

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD6670ASCT
FDD6670ASDKR
FDD6670ASTR
FDD6670AS-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQB2N90TM

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

onsemi

FDP24N40

MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3

onsemi

FQA34N20

MOSFET N-CH 200V 34A TO3P

infineon-technologies

BSC011N03LSTATMA1

MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON