Производитель Номер продукта:
FDD6780A
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD6780A-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 16.4A/30A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 25 V 16.4A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12839707
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD6780A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.4A (Ta), 30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1235 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD678
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD6780ATR
FDD6780ADKR
FDD6780ACT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD090N03LGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
94138
Номер части
IPD090N03LGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.23
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDD390N15A
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
FDZ206P
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
FDV303N_NB9U008
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23